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ALN氮化铝电路板

本产品采用国际先进的粉末冶金技术,将高电导率的银铜合金直接烧结在氮化铝陶(ALN)瓷基片上,可广泛应用于电子厚膜电路,微型半导体制冷器基板,电力控制电路,电力半导体模块,固态继电器,是子加热设备,微波电路及汽车电子,军事航空,航天技术的标准器件。
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参数

本产品采用国际先进的粉末冶金技术,将高电导率的银铜合金直接烧结在氮化铝陶(ALN)瓷基片上,可广泛应用于电子厚膜电路,微型半导体制冷器基板,电力控制电路,电力半导体模块,固态继电器,是子加热设备,微波电路及汽车电子,军事航空,航天技术的标准器件。

 

基本性能

1 焊接层可直接渗入瓷体,具有很高的银铜与瓷的结合力 ≥6N / mm²
2 可经受严酷的温度冲击适应恶劣环境 —200℃—600 ℃
3 导热系数 ≥170 W/m.K
4 适用寿命 高,可靠
5 热负载循环次数 >10000次
6 可焊性及耐焊性能 良好
7 线分辨率 0.2 mm
8 陶瓷基片厚度 ≥0.20 mm
9 敷银铜合金的厚度 0.02—0.15mm

 

其他

1、可以进行产品化学镀镍、锡、铜、金等各种镀层处理。2、可以进行产品浸锡及等厚浸锡的处理。3、可根据用户要求开发其它相关产品。

 

本产品采用国际先进的粉末冶金技术,将高电导率的银铜合金直接烧结在96%氧化铝陶瓷基片上,可广泛应用于电子厚膜电路,微型半导体制冷器基板,电力控制电路,电力半导体模块,固态继电器,是子加热设备,微波电路及汽车电子,军事航空,航天技术的标准器件。

 

基本性能

1 焊接层可直接渗入瓷体,具有很高的银铜与瓷的结合力 ≥8N / mm²
2 可经受严酷的温度冲击适应恶劣环境 —50℃—400 ℃
3 耐腐蚀性能 良好
4 适用寿命 高,可靠
5 热负载循环次数 >10000次
6 可焊性及耐焊性能 良好
7 线分辨率 0.2 mm
8 陶瓷基片厚度 ≥0.25 mm
9 敷银铜合金的厚度 0.02—0.15mm

 

其他

1、可以进行产品化学镀镍、锡、铜、金等各种镀层处理。2、可以进行产品浸锡及等厚浸锡的处理。3、可根据用户要求开发其它相关产品。

 

本产品使用目前世界上最先进的敷铜技术,将高导电率的铜片直接烧结在含96%的AL2A3陶瓷基片上,主要用于组装半导体制冷器,是目前各生产厂家使用的钼锰法二次敷铜的升级产品。

图片

 

基本性能

1 焊接层可直接渗入瓷体,具有很高的银铜与瓷的结合力 ≥20N / mm²
2 可经受严酷的温度冲击适应恶劣环境 —50℃—400 ℃
3 耐腐蚀性能 良好
4 适用寿命 高,可靠
5 热负载循环次数 >10000次
6 可焊性及耐焊性能 良好
7 线分辨率 0.2 mm
8 陶瓷基片厚度 ≥0.4 mm
9 敷银铜合金的厚度 0.02—0.15mm

 

其他

1、可以进行产品化学镀镍、锡、铜、金等各种镀层处理。2、可以进行产品浸锡及等厚浸锡的处理。3、可根据用户要求开发其它相关产品。

 

 

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